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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5229 个

  • 车载usb,3402 SOT23,​30v4a,KIA3402场效应管参数-KIA MOS管

    车载usb专用MOS管KIA3402漏源电压30V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on）、低栅电荷和栅电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗、高效低耗；3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性，适用于负载开关、PWM应用中，...

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    www.kiaic.com/article/detail/5648.html         2025-04-30

  • 电动汽车逆变器的作用,工作原理图-KIA MOS管

    电动汽车逆变器的工作原理是将电池的直流电（DC）转换为驱动电机所需的交流电(AC），通过高频开关控制与波形调制实现高效能量转换。

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    www.kiaic.com/article/detail/5647.html         2025-04-30

  • 逆变器的作用是什么,逆变器作用原理详解-KIA MOS管

    直流电源输入： 接收来自太阳能电池板或蓄电池的直流电。电流转换： 内部电子开关快速切换电流方向，形成与交流电类似的波形。交流电输出： 转换后的交流电输送至电器或电网，为生活和生产提供动力。

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    www.kiaic.com/article/detail/5646.html         2025-04-30

  • 9150mos管,40a500v场效应管,KNH9150B参数引脚图-KIA MOS管

    KNH9150B场效应管漏极电流40A，漏源击穿电压为500V，采用高级平面条纹DMOS技术，低导通电阻RDS(开启) 87mΩ，最大限度地减少开关损耗，低栅极电荷（典型值为117nC)、低跨导（典型值为8.6pF)，高效低耗；快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封...

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    www.kiaic.com/article/detail/5645.html         2025-04-29

  • 移动电源的组成,移动电源的内部结构-KIA MOS管

    使用移动电源时看到的输入输出接口、电源按键、电量显示装置一般均集成在转换电路板上；在转换板内部有着输入输出IC、电池组保护板（MOS+检流电阻+电源管理IC）、主控单片机以及若干稳压稳流的电阻电感和电容，部分快充电源还会有协议识别芯片等。

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    www.kiaic.com/article/detail/5644.html         2025-04-29

  • 移动电源电路,原理图详解-KIA MOS管

    移动电源内部有充电管理系统，该系统能够根据电池的电压自动调节充电电流，包括预充、恒压充电和浮充等过程。组成部分包括外壳、电路板和电芯。电路板的功能是调整输入和输出的电流，防止设备损坏，而电芯则负责存储电能。

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    www.kiaic.com/article/detail/5643.html         2025-04-29

  • 电机驱动mos管选型,85v120a,KCD3008A场效应管参数-KIA MOS管

    KCD3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高效运行；封装形...

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    www.kiaic.com/article/detail/5642.html         2025-04-28

  • 电动自行车控制器,控制器电路分享-KIA MOS管

    稳压电源 由V3（TL431），Q3等元件组成，从36V蓄电池经过串联稳压后得到+12V电压，给控制电路供电，调节VR6可校准+12V电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/5641.html         2025-04-28

  • led电源,LED驱动电源电路原理图详解-KIA MOS管

    输入过压保护主要针对的是雷击或市电冲击产生的浪涌。当DC电压通过“+48V、GNG”两端进入电路，并经过R1电阻进行限流时，若后续线路发生短路，R1的电流会增大，进而导致其两端压降也相应增大。

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    www.kiaic.com/article/detail/5640.html         2025-04-28

  • dcdc变换器,130a200v,2920场效应管,​KCP2920A参数-KIA MOS管

    KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，??漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，最小化开关损耗、?提高效率；快速恢复体二极管，?开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高...

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    www.kiaic.com/article/detail/5639.html         2025-04-27

  • dcdc变换器工作原理,双向dcdc电路-KIA MOS管

    通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以实现降压功能，也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。

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    www.kiaic.com/article/detail/5638.html         2025-04-27

  • 整流器和逆变器的区别,作用详解-KIA MOS管

    逆变器：通过控制开关器件（如IGBT、MOSFET）的通断，生成脉宽调制（PWM）波形，合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5637.html         2025-04-27

  • bms mos,40v130a参数 低内阻,KND2904A场效应管-KIA MOS管

    bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域，封装形...

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    www.kiaic.com/article/detail/5636.html         2025-04-25

  • 双电源电路原理图,可调双电源电路分享-KIA MOS管

    为了确保无闩锁操作，电路会自动感测器件中的最负电压，并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V)，但可以通过向振荡器（OSC）端子添加外部电容器来降低该频率，或者通过使用外部时钟过驱动OSC来提高该频率。

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    www.kiaic.com/article/detail/5635.html         2025-04-25

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